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HBDM60V600W-7 零件图片(仅供参考)

HBDM60V600W-7
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HBDM60V600W-7 规格参数

还在为复杂的双极性晶体管配对和布局发愁吗?HBDM60V600W-7将一颗NPN和一颗PNP晶体管精巧地集成于单一SOT-363封装中,为您提供了一站式的高效解决方案。它能让您轻松实现信号放大、高速开关和逻辑电平转换,其高达600mA的电流驱动能力和65V的耐压,确保您的设计动力十足且稳定可靠。

这颗芯片凭借其低至400mV的饱和压降和100MHz的跃迁频率,让您的系统运行更高效、响应更迅捷。宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)则赋予了产品卓越的环境适应性。选择HBDM60V600W-7,就是选择用更少的空间和更简化的设计,实现更强大的功能与更优的性能表现。

  • 型号:HBDM60V600W-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:1 NPN,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,600mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):65V,60V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • HBDM60V600W-7,Diodes产品一站式供应商。
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HBDM60V600W-7 基本参数:

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