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DDTB142TC-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTB142TC-7-F
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DDTB142TC-7-F 规格参数

还在为电路板上的分立电阻和晶体管搭配而头疼吗?DDTB142TC-7-F为您提供了一站式解决方案!这颗预偏置PNP晶体管内部集成了470欧姆基极电阻,让您轻松省去外部偏置元件,直接简化电路设计,降低BOM成本和PCB占用面积。

它能为您高效处理高达500mA的开关与控制任务,50V的集射极击穿电压提供了宽裕的安全余量。其低至300mV的饱和压降意味着更少的能量损耗,让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是驱动小型负载、进行信号切换,还是用于电源管理路径,它都能稳定可靠地工作。

采用标准的SOT-23-3表面贴装封装,它非常适合自动化生产,能显著提升您的组装效率与产品一致性。选择它,就是选择了一种让设计更简洁、让生产更轻松、让性能更出众的智能方式。

  • 型号:DDTB142TC-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):470 Ohms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DDTB142TC-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTB142TC-7-F 基本参数:

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