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DDTC114TE-7 零件图片(仅供参考)

DDTC114TE-7
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DDTC114TE-7 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?DDTC114TE-7就是您的高效解决方案。这颗预偏置NPN晶体管,内部集成了10 kΩ基极电阻,为您省去一个外部元件,让设计更紧凑,布局更轻松。

它能为您做什么?这颗芯片的核心使命是简化您的小信号放大与开关应用。凭借高达100的直流电流增益和250MHz的过渡频率,它能清晰、快速地放大微弱信号;同时,低至300mV的饱和压降确保其在开关状态下高效节能。无论是驱动小型负载,还是作为数字逻辑接口,它都能稳定可靠地工作。

选择DDTC114TE-7,意味着您选择了一种更智能、更集成的设计方式。它让您从繁琐的分立元件匹配中解放出来,专注于实现更核心的产品功能,助力您的项目高效推进,快速落地。

  • 型号:DDTC114TE-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 100A,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • DDTC114TE-7,Diodes产品一站式供应商。
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DDTC114TE-7 基本参数:

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