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还在为电路板上的空间捉襟见肘，却又需要强大的功率开关能力而烦恼吗？让DMG9926UDM-7双N沟道MOSFET来为您排忧解难！这颗芯片集成了两个高性能MOSFET于微小的SOT-23-6封装内，为您节省每一毫米的布局空间。

它能让您的设计轻松驾驭高达4.2A的电流，同时凭借低至28毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升系统的整体能效与可靠性。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，其逻辑电平门驱动特性都让您能够直接用MCU进行控制，设计更简洁，响应更迅速。

选择DMG9926UDM-7，就是选择了一个高效、紧凑且可靠的功率管理伙伴，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMG9926UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856pF @ 10V
• 功率 - 最大值:980mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• DMG9926UDM-7，Diodes产品一站式供应商。