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DDTC115GE-7 零件图片(仅供参考)

DDTC115GE-7
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DDTC115GE-7 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?DDTC115GE-7这颗预偏置NPN晶体管,就是为您解放空间、简化设计的利器。它将偏置电阻集成于微型SOT-523封装之内,让您轻松省去外部电阻,直接实现高效、稳定的信号切换与放大功能。

这颗芯片能为您做什么?它让您轻松驾驭高达100mA的负载电流和50V的工作电压,其高达250MHz的响应速度确保信号处理干净利落。无论是驱动小型继电器、LED,还是进行高速数字接口的电平转换,它都能以极低的饱和压降(仅300mV)高效工作,显著降低功耗,提升系统整体能效。选择它,就是选择了一种更精简、更可靠的设计路径。

  • 型号:DDTC115GE-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):100 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • DDTC115GE-7,Diodes产品一站式供应商。
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DDTC115GE-7 基本参数:

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