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您正在寻找一颗能轻松驾驭650V高压、承载10A电流，同时保持超低损耗的功率开关吗？DMJ65H650SCTI正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET采用先进的MOSFET技术，其核心价值在于让您的高压电源或电机驱动设计更高效、更可靠。

它凭借低至600毫欧的导通电阻，显著减少导通损耗，直接提升系统能效并降低温升。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速的开关响应，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小外围元件体积，优化整体成本与空间。其坚固的ITO-220AB封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），为您在各种严苛环境下稳定运行保驾护航。

• 型号:DMJ65H650SCTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB（TH 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB（TH 类）
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• DMJ65H650SCTI，Diodes产品一站式供应商。