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DDTC115GKA-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTC115GKA-7-F
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DDTC115GKA-7-F 规格参数

还在为电路板上的元件数量过多而头疼?DDTC115GKA-7-F为您提供了一站式解决方案。这颗预偏置NPN晶体管,内部集成了100 kOhms的发射极电阻,让您彻底告别外部分立电阻,轻松实现简洁、紧凑的电路布局,大幅提升设计效率与产品可靠性。

它能为您做什么?这颗芯片的核心使命是让信号处理变得更简单、更高效。凭借高达250MHz的跃迁频率和优异的电流增益,它能轻松胜任小信号放大和高速开关任务。无论是放大麦克风采集的细微声音,还是作为微控制器与外部世界之间的高速开关接口,它都能稳定、精准地工作,让您的产品性能表现更加出色。

  • 型号:DDTC115GKA-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SC-59-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):100 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SC-59-3
  • DDTC115GKA-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTC115GKA-7-F 基本参数:

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