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还在为电路板上的元件数量过多而头疼吗？DDTC123TUA-7就是您的精简大师。这颗NPN预偏置晶体管，将必要的偏置电阻（2.2 kOhms）集成于微型SOT-323封装之内，让您轻松省去两个外部电阻，大幅简化布局，为您的紧凑型设计释放宝贵空间。

它能为您做什么？这颗芯片的核心使命是让信号处理与开关控制变得前所未有的高效。凭借高达100的电流增益和仅300mV的低饱和压降，它能确保在驱动高达100mA的负载时，依然保持极低的自身损耗和清晰的信号完整性。无论是用于放大微弱的传感器信号，还是作为高效的负载开关，它都能让您的系统运行更稳定、更节能。

其50V的集射极击穿电压和250MHz的跃迁频率，赋予了它应对多种低压至中压场景的稳健能力。选择DDTC123TUA-7，意味着您选择了一个经过优化的、即插即用的解决方案，它能直接降低您的物料与生产成本，并加速产品开发周期，是追求高效与可靠设计的明智之选。

• 型号:DDTC123TUA-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 晶体管类型:NPN - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:仅 R1
• 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500A，5mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁:250 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
• DDTC123TUA-7，Diodes产品一站式供应商。