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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与低热耗的“全能”整流芯片吗？SBR8B60P5-7D正是为您而来的答案。它基于Diodes引以为傲的超级势垒整流（SBR）技术，在60V的反向电压和5A的平均整流电流下，能实现低至600mV@8A的卓越正向压降，让您的电源系统大幅降低导通损耗，轻松提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计在高频开关环境中依然保持稳定与高效，其标准恢复特性有效管理了开关行为。表面贴装的PowerDI5封装不仅节省空间，更提供了出色的热性能，让您在设计紧凑型电源模块时游刃有余。无论是升级现有方案还是开发新产品，选择SBR8B60P5-7D，就是选择了一条通往更高性能、更可靠运行的捷径。

• 型号:SBR8B60P5-7D
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 5
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 60V 5A POWERDI5
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 8 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:220 A @ 60 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5
• 供应商器件封装:PowerDI 5
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• SBR8B60P5-7D，Diodes产品一站式供应商。