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DDTD114EC-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTD114EC-7-F
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DDTD114EC-7-F 规格参数

还在为设计一个稳定可靠的晶体管偏置电路而反复计算和调试吗?DDTD114EC-7-F为您彻底解决了这个难题。这颗预偏置NPN晶体管内部集成了精准的10kΩ电阻,为您省去外部偏置网络,让您的电路设计一步到位,极大地简化了布局并节省了宝贵的PCB空间。

它能让您轻松驾驭高达500mA的开关或放大电流,并承受50V的电压,无论是驱动负载还是处理信号都游刃有余。其低至300mV的饱和压降和高达200MHz的过渡频率,意味着更低的功耗损耗和更快的响应速度,确保您的系统运行既高效又节能。采用标准的SOT-23-3表面贴装封装,非常适合自动化生产,助力您快速实现产品量产。

  • 型号:DDTD114EC-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DDTD114EC-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTD114EC-7-F 基本参数:

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