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还在为电路板上的分立晶体管和偏置电阻头疼吗？DDTD114GU-7-F为您提供了一站式解决方案！这颗预偏置NPN晶体管将晶体管与10kΩ发射极电阻集成于微小的SOT-323封装内，让您轻松实现精简、稳定的电路设计。

它能让您的设计事半功倍。高达500mA的驱动电流和50V的耐压能力，让您高效处理各种开关与驱动任务；200MHz的高频特性确保信号响应迅速；而内置的偏置网络则从根本上消除了分立元件带来的匹配烦恼和空间占用，显著提升系统可靠性。

选择它，就是选择省心、省空间、高性能。无论是便携设备还是工业控制，DDTD114GU-7-F都能以卓越的电气性能和微型化封装，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 制造商产品型号：DDTD114GU-7-F
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
• 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：NPN - 预偏压
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
• 电压-集射极击穿（最大值）：50V
• 电阻器-基极(R1)：-
• 电阻器-发射极(R2)：10 kOhms
• 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：56 @ 5mA，5V
• 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
• 频率-跃迁：200MHz
• 功率-最大值：200mW
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-70，SOT-323
• DDTD114GU-7-F，Diodes产品一站式供应商。