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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMTH6006SPS-13就是您提升系统能效的得力助手。这颗60V N沟道功率MOSFET，拥有惊人的6.2mΩ超低导通电阻，能在大电流（连续漏极电流高达100A）通过时，将能量损耗降至最低，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，兼具优异的散热性能与紧凑的占板面积，非常适合高密度设计。优化的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现快速、干净的开关控制，从而简化驱动电路设计，提升整体系统可靠性。选择它，就是选择为您的产品注入强劲而高效的动力核心。

• 型号:DMTH6006SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.8A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2mOhm @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1721 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.94W（Ta），107W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6006SPS-13，Diodes产品一站式供应商。