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DDTD143TU-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTD143TU-7-F
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DDTD143TU-7-F 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?DDTD143TU-7-F这颗集成了预偏置电阻的NPN晶体管,就是为您量身打造的省心之选。它巧妙地将偏置电路内置,让您轻松告别外部电阻,直接简化设计,大幅节省PCB布局空间。

这颗芯片能为您做什么?它凭借50V的耐压和500mA的驱动能力,可以高效担当起信号放大、开关控制的核心角色。无论是驱动LED灯组,控制微型电机,还是处理传感器信号,其低至300mV的饱和压降和高达200MHz的切换频率,都能确保快速响应和高效节能,让您的设备运行更流畅、更可靠。

采用超小的SOT-323封装,它非常适合空间受限的便携式电子产品、物联网模块及各类消费电子。选择它,就是选择了一种更精简、更可靠、更易于生产的设计方案,助您轻松提升产品竞争力。

  • 型号:DDTD143TU-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • DDTD143TU-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTD143TU-7-F 基本参数:

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