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在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关速度慢、驱动能力不足而妥协？DGD05473FN-7正是为您破解这一难题的利器。这颗半桥栅极驱动器能高效、精准地驱动两个N沟道MOSFET，让您轻松实现从0.3V到60V宽电压范围内的稳健功率控制。

它凭借高达2.5A的拉出和1.5A的灌入峰值电流，以及纳秒级的快速开关特性，显著降低开关损耗，提升系统整体效率。无论是面对工业驱动的高压挑战，还是通信电源的高频需求，它都能稳定工作在-40°C至125°C的广阔温度范围，确保您的设计在各种环境下都高效可靠。

• 型号:DGD05473FN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:0.3V ~ 60V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.5A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:16ns，12ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10
• DGD05473FN-7，Diodes产品一站式供应商。