我们为全球各个行业提供Diodes DMP6110SFDFQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗既能扛住汽车级严酷考验，又能显著提升系统效率的“全能型”开关？DMP6110SFDFQ-13正是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有60V/3.5A的稳健规格，其核心魅力在于极低的110毫欧导通电阻和快速的开关特性，能直接为您大幅降低导通损耗和开关损耗，让电源转换更高效，设备发热更少。

它专为要求苛刻的应用而优化。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，配合AEC-Q101认证，让它能轻松应对汽车引擎舱、工业户外设备等恶劣环境，确保系统长期稳定运行。其紧凑的U-DFN封装让您能在空间受限的设计中同样部署强大的功率处理能力，简化布局，提升功率密度。选择它，就是选择了一份让设计更省心、让产品更具市场竞争力的保障。

• 型号:DMP6110SFDFQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP6110SFDFQ-13，Diodes产品一站式供应商。