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还在为驱动大功率MOSFET时遇到的开关速度慢、驱动能力不足而烦恼吗？DGD2003S8-13正是为您解决这些挑战而生的得力助手。这颗高性能半桥栅极驱动器，能为您提供高达600mA的强劲拉电流和290mA的灌电流，确保您的N沟道MOSFET实现快速、干净利落的开关，从而显著降低开关损耗，提升整个电源系统的效率和可靠性。

它拥有10V至20V的宽范围供电电压和高达200V的自举电压，让您的设计在面对复杂电压环境时游刃有余。同时，其非反相输入和宽逻辑阈值兼容性，让您可以轻松对接主流控制器，极大简化了电路设计。采用紧凑的8-SOIC封装，并支持-40°C至125°C的工业级工作温度，DGD2003S8-13是您打造高效、紧凑且坚固耐用的电机驱动、电源转换等应用的理想核心选择。

• 型号:DGD2003S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO 类 TH
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO 类 TH
• DGD2003S8-13，Diodes产品一站式供应商。