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还在为功率转换效率瓶颈和散热难题而困扰吗？DMTH41M8SPS-13正是为您破局而来的利器。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，凭借其100A的高电流能力和1.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。无论是同步整流、电机控制还是负载开关应用，DMTH41M8SPS-13都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，简化热管理，加速产品上市进程。

• 型号:DMTH41M8SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6968 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.03W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH41M8SPS-13，Diodes产品一站式供应商。