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还在为驱动大功率MOSFET或IGBT寻找一颗高效、可靠的“指挥官”吗？DGD2103AS8-13正是您理想的解决方案。这颗半桥栅极驱动器能为您精准控制功率开关，其强劲的600mA/290mA峰值输出电流，配合100ns/50ns的快速开关速度，让您的电源系统实现高效能量转换，同时大幅降低开关损耗。

它支持高达600V的自举电压和10V至20V的宽范围供电，兼容反相与非反相输入逻辑，为您提供灵活的设计自由度。无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的空间布局，其8-SOIC封装和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ）都能让您轻松应对挑战，构建出更稳定、更耐用的高性能电源产品。

• 型号:DGD2103AS8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:反相，非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2103AS8-13，Diodes产品一站式供应商。