我们为全球各个行业提供Diodes DGD2103S8-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时驾驭效率与可靠性的驱动核心吗？DGD2103S8-13正是您期待的答案。这颗高性能半桥栅极驱动器，能轻松驱动IGBT和MOSFET，以其高达600mA的拉出电流和快速的开关速度，让您的电源转换或电机控制应用运行得更高效、更安静。

它为您提供了10V至20V的宽泛供电电压和独立的双通道控制，搭配反相/非反相输入选项，赋予您极大的设计灵活性。无论是应对-40°C的严寒还是150°C的高温挑战，它都能稳定工作，确保您的产品在各种极端环境下依然表现卓越。选择DGD2103S8-13，就是为您的系统选择了一位值得信赖的强力伙伴。

• 型号:DGD2103S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:反相，非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2103S8-13，Diodes产品一站式供应商。