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还在为功率转换系统的驱动效率烦恼吗？DGD2104S8-13半桥栅极驱动器就是您的高效解决方案。它能精准、强劲地驱动您的IGBT或MOSFET，其高达600mA的拉电流输出和极快的开关速度（典型值70ns/35ns），能显著降低开关损耗，直接提升整机效率，让您的电源或电机驱动系统运行得更快、更冷、更省电。

这颗芯片专为简化您的设计而生。它采用非反相输入，逻辑电压兼容性强（VIL/VIH: 0.8V/2.5V），并支持高达600V的自举电压，轻松应对半桥拓扑中高压侧驱动的挑战。其宽广的工作电压（10V-20V）与工业级温度范围（-40°C ~ 150°C TJ），确保它在各种严苛环境下稳定可靠，让您轻松构建从消费级到工业级的各类高可靠性电源与驱动应用。

• 型号:DGD2104S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2104S8-13，Diodes产品一站式供应商。