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还在寻找一款能精准稳压、高效保护电路的核心元件吗？MMBZ5229BT-7-F齐纳二极管正是您的理想之选。它能为您提供稳定的4.3V基准电压，容差控制在±5%以内，有效箝制电压尖峰，为微处理器、传感器接口等敏感电路构筑起一道可靠的保护墙。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。其仅150mW的功耗和22欧姆的低动态阻抗，意味着它能在高效工作的同时保持极低的能量损耗。无论是用于电源轨的稳压，还是信号线的瞬态电压抑制，它都能快速响应，确保系统稳定。其SOT-523超小封装和表面贴装特性，让您可以灵活布局，轻松实现高密度板级设计，助力产品小型化与性能提升双赢。

• 型号:MMBZ5229BT-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.3V 150MW SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.3 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:150 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):22 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-523
• 供应商器件封装:SOT-523
• MMBZ5229BT-7-F，Diodes产品一站式供应商。