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还在为复杂的功率开关驱动电路烦恼吗？DGD21064S14-13半桥栅极驱动器就是您的高效解决方案。它能精准、有力地驱动您的IGBT或MOSFET，以高达600mA的拉电流和290mA的灌电流，实现纳秒级的快速开关，显著提升系统效率并降低热损耗。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建可靠的半桥拓扑结构，其宽达10V至20V的供电范围与兼容标准逻辑的输入，简化了您的设计。同时，高达600V的自举电压和宽广的-40°C至150°C工作结温范围，确保您的电机驱动、电源转换或逆变器应用在各种严苛环境下都能稳定、高效地运行。

• 制造商产品型号：DGD21064S14-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：半桥
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：10V ~ 20V
• 逻辑电压-VIL，VIH：0.6V，2.5V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：290mA，600mA
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：600V
• 上升/下降时间（典型值）：100ns，35ns
• 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• DGD21064S14-13，Diodes产品一站式供应商。