我们为全球各个行业提供Diodes DMG6601LVT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双MOSFET布局和性能妥协而头疼吗？DMG6601LVT-7为您提供一站式高效解决方案。这颗芯片将高性能的N沟道与P沟道MOSFET集成于微型TSOT-23-6封装内，凭借30V耐压、3.8A/2.5A的强劲电流驱动能力以及低至55毫欧的导通电阻，它能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

更重要的是，其1.5V的逻辑电平门控让您可以直接与微控制器等低压数字电路连接，省去额外的驱动电路，让设计变得前所未有的简洁。无论是用于电源路径管理、负载切换还是电机控制，DMG6601LVT-7都能让您轻松实现高效、可靠且节省空间的电路设计，是追求高性能与高集成度应用的理想选择。

• 型号:DMG6601LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A，2.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:422pF @ 15V
• 功率 - 最大值:850mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMG6601LVT-7，Diodes产品一站式供应商。