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还在为高压侧功率器件的驱动难题寻找最优解吗？DGD2118S8-13高端栅极驱动器芯片，就是您设计中的关键动力核心。它能为您高效、可靠地驱动IGBT或N沟道MOSFET，其强劲的600mA拉电流输出，确保功率管快速开启，显著降低开关损耗，直接提升系统整体能效。

这颗芯片让您轻松应对高达600V的高压环境，宽达10V至20V的供电范围提供了出色的设计灵活性。同时，其极短的开关延时（典型值75ns上升/35ns下降）意味着更快的响应速度与更高的工作频率潜力，让您的电源或电机驱动方案性能脱颖而出，在效率和可靠性上都赢得先机。

• 型号:DGD2118S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:6V，9.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2118S8-13，Diodes产品一站式供应商。