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还在为复杂的双MOSFET布局和居高不下的功耗头疼吗？让DMC3061SVT-13来为您化繁为简！这颗由Diodes Incorporated推出的互补型MOSFET阵列，将高性能的N沟道和P沟道管芯集成于微小的TSOT-26封装内，专为节省空间、提升效率而生。

它能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载开关和电源管理，其低至60毫欧的导通电阻和3.4A的电流能力，能显著降低导通损耗，提升系统能效，延长电池寿命。同时，优异的开关特性确保快速响应，是便携设备、消费电子和电源模块的理想选择。选择它，就是选择了一种更简洁、更高效、更可靠的设计方案。

• 型号:DMC3061SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），2.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V，6.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V，287pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMC3061SVT-13，Diodes产品一站式供应商。