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还在为复杂的功率开关驱动设计而费神？让DGD21814MS14-13来为您简化这一切！这颗来自Diodes Incorporated的高性能半桥栅极驱动器，专为高效驱动IGBT和MOSFET而生。

它集成了两个独立通道，能提供高达2.3A/1.9A的强劲拉灌电流，配合纳秒级的快速开关特性，可显著提升您的电源或电机驱动系统的效率与响应速度。其宽电压供电范围与高达600V的自举能力，让您轻松应对高压侧驱动挑战，而150°C的高结温工作能力则确保了系统在严苛环境下的卓越可靠性。

选择它，就是选择了一个让设计更高效、让产品更稳定的智能动力核心。

• 型号:DGD21814MS14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO TH 型
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO TH 型
• DGD21814MS14-13，Diodes产品一站式供应商。