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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效工作的功率开关而烦恼吗？DMN1016UCB6-7正是为您而来的答案。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，集12V耐压与5.5A大电流承载能力于一身，却拥有惊人的低导通电阻（仅20mΩ），它能显著降低您电路中的开关损耗，让能量传递更直接、更高效。

更令人惊喜的是，它极低的驱动电压和栅极电荷，让您可以轻松实现高速、精准的开关控制，大幅提升系统响应速度。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计运行更凉爽、更稳定。其超小的U-WLB1510-6封装，更是为您实现产品极致小型化的梦想铺平了道路，让高性能与高集成度完美结合。

• 型号:DMN1016UCB6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1510-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20mOhm @ 1.5A， 4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:423 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:920mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1510-6
• 封装/外壳:6-UFBGA，WLBGA
• DMN1016UCB6-7，Diodes产品一站式供应商。