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还在为驱动大功率MOSFET或IGBT时的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让DGD2190S8-13来为您解决！这颗高性能半桥栅极驱动器，能为您提供高达4.5A的强大驱动电流，并以超快的开关速度（典型值25ns/20ns）大幅降低开关损耗，直接提升您的电源系统整体效率。

它支持10V至20V宽范围供电，高压侧耐受电压高达600V，让您在设计电机驱动、UPS或工业电源时更加游刃有余。其独立双通道与非反相输入逻辑，让控制变得直观而高效。无论是应对-40°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定工作，确保您的产品在各种极端环境下依然可靠耐用。选择DGD2190S8-13，就是为您的下一个成功设计注入强劲动力。

• 型号:DGD2190S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2190S8-13，Diodes产品一站式供应商。