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还在为复杂的电机驱动设计寻找那颗“全能核心”吗？DGD23892S28-13正是您期待的答案。这颗高性能半桥栅极驱动器，能轻松驾驭三相桥式拓扑，为您的高压电机驱动、电源转换或工业逆变器应用提供强劲、可靠的控制动力。

它内置6个独立驱动器，可高效驱动IGBT或N沟道MOSFET，其高达650mA/350mA的峰值输出电流确保开关快速果断，显著降低损耗。宽广的10V-15V供电范围与600V高压侧耐受能力，让您的系统在面对电压波动时稳如泰山。无论是严苛的工业环境还是精密的消费电子，它都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:DGD23892S28-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:28-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDG 28SO 1.5K
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:3 相
• 驱动器数:6
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 15V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:350mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，25ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:28-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:28-SO
• DGD23892S28-13，Diodes产品一站式供应商。