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您是否正在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题寻找破局之钥？DGTD65T40S1PT正是为您而来的解决方案。这颗650V/80A的场截止IGBT，核心使命就是让您的电机驱动、电源或逆变器系统运行得更高效、更凉爽、更可靠。

它通过仅2.4V的低导通压降，显著减少能量损耗，直接提升系统能效。同时，其优化的开关特性（开启能量1.15mJ）与快速的反向恢复能力，让您在追求高频高效设计时游刃有余，轻松应对严苛的开关环境。高达341W的功率容量和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 175°C），更为您的产品提供了坚实的耐久性保障，确保在各种挑战下稳定输出强劲动力。

• 制造商产品型号：DGTD65T40S1PT
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• IGBT类型：场截止
• 电压-集射极击穿（最大值）：650V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：160A
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
• 功率-最大值：341W
• 开关能量：1.15mJ（开），350J（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：219nC
• 25°C时Td（开/关）值：58ns/245ns
• 测试条件：400V，40A，7.9 欧姆，15V
• 反向恢复时间(trr)：145ns
• 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-247-3
• DGTD65T40S1PT，Diodes产品一站式供应商。