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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流且保持极高效率的功率开关吗？DGTD65T40S2PT正是为此而生。这颗650V/80A的场截止型IGBT，凭借仅2.3V的低导通压降，能显著降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效，让电能转换更加“绿色”。

它卓越的开关性能低栅极电荷与优化的开关能量，让您轻松实现更高频率的开关设计，从而减小磁性元件体积，助力打造更紧凑、功率密度更高的电源模块或电机驱动器。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围，确保了即使在最严苛的工业环境下，也能提供持久可靠的动力核心，让您的产品性能稳如磐石。

• 型号:DGTD65T40S2PT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:230 W
• 开关能量:500J（导通），400J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:60 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:6ns/55ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• DGTD65T40S2PT，Diodes产品一站式供应商。