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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？DGTD65T50S1PT正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的650V/100A场截止型IGBT，凭借其低至2.4V的导通压降，能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、光伏逆变或电源系统运行得更“冷静”、更高效。

它集高电流能力、快速开关与坚固耐用于一身。高达200A的脉冲电流承受力，轻松应对瞬间负载冲击；优化的开关能量与栅极电荷，让开关过程干净利落，有效提升系统频率与整体能效。采用工业标准的TO-247封装，散热性能优异，确保在-40°C到175°C的宽广结温范围内稳定工作，为您的产品在全天候、多场景下的可靠运行保驾护航。

• 型号:DGTD65T50S1PT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:770J（导通），550J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:287 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:58ns/328ns
• 测试条件:400V，50A，7.9 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):80 ns
• 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• DGTD65T50S1PT，Diodes产品一站式供应商。