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还在为寻找一款体积小巧、性能强劲的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3098LSS-13正是您的理想之选！它能在30V电压、5.3A电流下稳定工作，凭借仅65毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的终端设备能效和续航时间。

这颗芯片能为您轻松实现高效的电源开关与控制。其优化的栅极驱动特性（典型驱动电压4.5V/10V）让您能用标准逻辑电平轻松驾驭，快速完成开关动作，同时将开关损耗降至最低。无论是用于负载切换、电源路径管理，还是电机驱动等应用，它都能让您的设计更简洁、运行更高效、发热更少。

采用紧凑的8-SOP表面贴装封装，DMP3098LSS-13完美适配高密度PCB布局，帮助您节省宝贵的板级空间。其坚固的设计支持-55°C至150°C的宽广工作结温，确保在各种环境下都能提供持久可靠的性能，是您打造高品质、高可靠性产品的信心保证。

• 型号:DMP3098LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 5.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:336 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3098LSS-13，Diodes产品一站式供应商。