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还在为复杂的双MOSFET选型和布局头疼吗？DMC1018UPD-13为您一站式解决！这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列，能将您的电源管理方案化繁为简。它内置两个高性能通道，让您轻松实现高效的同步整流或灵活的负载切换，大幅节省PCB空间，简化电路设计。

凭借其超低的导通电阻（最低仅17毫欧）和出色的电流处理能力（最高9.5A），它能显著降低功率损耗，提升整体系统效率。无论是驱动小型电机，还是管理便携设备的电源路径，它都能确保强劲而稳定的性能。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:DMC1018UPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A，6.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.4nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMC1018UPD-13，Diodes产品一站式供应商。