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还在为空间有限的电路板寻找既能高效开关又能节省面积的功率器件吗？DMC1030UFDB-13正是为您而来的解决方案。这颗集成了N和P沟道MOSFET的阵列芯片，能轻松胜任负载开关、电源路径管理和信号切换等关键任务，让您的便携式设备或汽车电子系统运行得更流畅、更节能。

它拥有出色的电气特性：高达5.1A的电流承载能力配合低至34毫欧的导通电阻，意味着更小的功率损耗和更少的发热；而优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速高效的开关性能。所有这些优势，都被封装在极其紧凑的U-DFN2020-6外形中，为您释放宝贵的PCB空间，让复杂的设计变得简单而高效。

• 型号:DMC1030UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A（Ta），3.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1030UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。