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MMBZ5256B-7 零件图片(仅供参考)

MMBZ5256B-7
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MMBZ5256B-7 规格参数

还在为电路中的电压基准不够精准稳定而烦恼吗?MMBZ5256B-7齐纳二极管正是为您解决这一核心痛点的利器。它能为您提供高达30V、精度达±5%的稳固电压钳位,将意外的电压尖峰轻松化解于无形,确保您敏感的后级电路始终工作在安全区。

这颗芯片能让您的设计更从容。其350mW的功率处理能力和低至100nA的反向漏电流,在实现高效稳压的同时,极大降低了自身功耗。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,让您的产品无惧严寒酷暑的考验。采用通用的SOT-23-3表面贴装封装,让您能轻松集成到各种紧凑的现代电子设备中,是实现电路保护与电压参考功能的可靠基石。

  • 制造商产品型号:MMBZ5256B-7
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE ZENER 30V 350MW SOT23
  • 系列:二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态:停产
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):30V
  • 容差:±5%
  • 功率-最大值:350mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 23V
  • 不同If时电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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MMBZ5256B-7 基本参数:

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