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还在寻找一颗能同时搞定N沟道和P沟道开关任务，且体积小、效率高的芯片吗？DMC1229UFDB-13正是为您量身打造的解决方案。它集成了逻辑电平驱动的双MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松构建高效的H桥电机驱动或灵活的电源切换电路，极大简化了您的设计。

凭借仅29毫欧的低导通电阻和最高5.6A的电流能力，它能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。其超小的U-DFN2020-6封装为您节省宝贵的PCB空间，是便携式设备和紧凑型应用的理想选择。选择它，让您的产品在性能和尺寸上都更具优势。

• 型号:DMC1229UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A，3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1229UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。