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还在寻找一颗能同时简化设计并提升性能的MOSFET解决方案吗？DMC2020USD-13正是为您而来。这颗集成了N和P沟道的逻辑电平MOSFET阵列，凭借其20V耐压、7.8A/6.3A的强大电流能力以及低至20毫欧的导通电阻，能显著降低您的系统功耗与发热，让电源转换和电机驱动等应用运行得更高效、更凉爽。

它采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。极低的栅极电荷和宽泛的工作温度范围，确保了快速开关响应和在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力核心。

• 型号:DMC2020USD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A，6.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1149pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC2020USD-13，Diodes产品一站式供应商。