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还在为电路板空间紧张和系统效率瓶颈而头疼吗？DMC2038LVT-7这颗高度集成的双MOSFET阵列，就是为您量身打造的空间与能效大师。它将一个N沟道和一个P沟道MOSFET合二为一，采用超紧凑的TSOT-26封装，能直接由逻辑电平（低至1V阈值）轻松驱动，让您在设计负载开关、电源路径管理和电机控制等应用时，大幅简化电路，节省超过50%的布板面积。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极小的体积，实现强大的开关性能。其3.7A的连续电流能力和低至35毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和发热，直接提升您的系统能效与可靠性。无论是用于便携设备的功率分配，还是作为DC-DC转换器中的高效开关，DMC2038LVT-7都能确保快速、干净的信号切换，助您轻松打造出更节能、更紧凑、更具竞争力的电子产品。

• 型号:DMC2038LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A，2.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530pF @ 10V
• 功率 - 最大值:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMC2038LVT-7，Diodes产品一站式供应商。