还在为复杂的双MOSFET布局而头疼吗?让ZXMD63C03XTA来改变这一切!这颗高度集成的N+P沟道MOSFET阵列,能为您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和电机驱动。它采用逻辑电平驱动,让您可以直接用MCU控制,省去繁琐的电平转换电路,设计从未如此简洁高效。
凭借其30V的耐压和低导通电阻特性,它能显著降低系统功耗与发热,提升整体能效。紧凑的8-MSOP封装为您节省宝贵的电路板空间,是便携式设备、智能家居模块等空间受限应用的理想选择。选择它,就是选择了一条更可靠、更精简的产品开发路径。
- 型号:ZXMD63C03XTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-MSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):135 毫欧 @ 1.7A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A(最小)
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.04W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP
- ZXMD63C03XTA,Diodes产品一站式供应商。