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还在为如何在小空间内实现大功率、高效率的电源切换而烦恼吗？DMC2053UVT-13就是为您量身打造的解决方案！这颗双MOSFET阵列芯片，能轻松胜任负载开关、电机驱动、电源路径管理等关键任务，让您的设备运行更高效、更冷静。

它集成了高性能的N沟道和P沟道MOSFET，拥有低至35毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接将更多电能用于驱动您的设备，从而延长电池续航，提升整体能效。其紧凑的TSOT-26封装，为您节省宝贵的电路板空间，让设计更灵活、产品更轻薄。

无论是便携消费电子、物联网设备还是工业控制模块，DMC2053UVT-13都能以卓越的稳定性和强大的性能，成为您提升产品竞争力的秘密武器。

• 型号:DMC2053UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta），3.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:369pF @ 10V，440pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMC2053UVT-13，Diodes产品一站式供应商。