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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMC2710UDW-13就是为您量身定制的空间魔术师！这颗微型MOSFET阵列，将N沟道和P沟道互补对管精巧集成于SOT-363封装内，能为您瞬间节省宝贵的PCB面积，让您的设计更加紧凑、优雅。

它绝不仅仅是小巧。凭借20V的耐压和最高750mA的驱动能力，配合优异的低导通电阻，它能让您轻松实现高效的电源路径管理和精准的信号切换，显著降低功率损耗，提升整机能效。无论是用于便携设备的负载开关，还是电平转换电路，它都能确保稳定可靠的性能。

更令人心动的是，其极低的栅极电荷带来了快速的开关响应，宽泛的工作温度范围则让您的产品适应力更强。选择DMC2710UDW-13，就是选择了一种高集成度、高可靠性的解决方案，让您的产品开发事半功倍，在市场竞争中快人一步。

• 型号:DMC2710UDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta），600mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450mOhm @ 600mA，4.5V，750mOhm @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6nC @ 4.5V，0.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42pF @ 16V，49pF @ 16V
• 功率 - 最大值:290mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMC2710UDW-13，Diodes产品一站式供应商。