还在寻找一颗能同时兼顾高性能与小尺寸的汽车级功率开关吗?DMC3016LNS-7就是您的理想答案。这颗双MOSFET阵列集成了N和P沟道,让您能轻松设计高效的桥式电路,用于电机驱动、负载开关等关键应用。
它拥有高达30V的耐压和9A的电流处理能力,配合最低仅16毫欧的超低导通电阻,能大幅降低功率损耗,提升系统整体效率。更出色的是,它采用微型的表面贴装封装,为您节省宝贵的电路板空间,同时其宽温工作范围(-55°C至150°C)和汽车级(AEC-Q101)认证,确保了在严苛环境下的极致可靠性,让您的设计既高效又坚固。
- 型号:DMC3016LNS-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道互补型
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),6.8A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 7A,10V,28 毫欧 @ 7A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):9.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1184pF @ 15V,1188pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.3W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8
- DMC3016LNS-7,Diodes产品一站式供应商。