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在追求极致能效与微型化的今天，DMN21D2UFB-7B是您电路中的高效“微型开关”。它基于先进的MOSFET技术，能轻松处理高达20V的电压和760mA的电流，让您在便携设备的电源管理、信号路径切换等应用中游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更少的驱动损耗，直接为您延长电池续航。同时，其紧凑的3DFN封装为您节省宝贵的PCB空间，而宽达-55°C至150°C的工作温度范围，则确保了产品在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMN21D2UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):760mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN21D2UFB-7B，Diodes产品一站式供应商。