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还在为电路板空间紧张和设计复杂度高而头疼吗？让DMC3028LSDX-13来为您化繁为简！这颗高度集成的N/P沟道MOSFET阵列芯片，能轻松胜任您系统中关键的开关与驱动任务。它将互补的双MOSFET合二为一，直接兼容3.3V或5V逻辑电平，让您无需额外驱动电路，即可高效控制电机、LED或电源路径。

得益于其优异的性能参数低至27毫欧的导通电阻和仅13.2nC的栅极电荷，它能显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。无论是消费电子、工业控制还是汽车应用，它都能在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品在各种环境下都表现可靠。选择它，就是选择了一站式的高效功率解决方案。

• 型号:DMC3028LSDX-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A，5.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3028LSDX-13，Diodes产品一站式供应商。