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还在为空间有限的电路板寻找一颗既能“大力出奇迹”又能“冷静低调”的功率开关吗？DMN1019UVT-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能在仅1.2V的低电压下高效驱动，以低至10毫欧的导通电阻轻松应对超过10A的连续电流，大幅降低开关损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高密度设计而生，采用微型TSOT-26封装，几乎不占空间，却能胜任从负载开关、电机驱动到DC-DC转换等多种关键任务。其快速的开关特性和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品在各种环境下都稳定可靠。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、紧凑且强劲的“能量核心”。

• 型号:DMN1019UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2588 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.73W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN1019UVT-13，Diodes产品一站式供应商。