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还在为电路板空间紧张和驱动效率低下而头疼吗？DMG4932LSD-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想解决方案。它集成了两个高性能开关，让您仅用一颗芯片就能高效控制双路负载，极大节省布局空间。

这颗芯片能为您做什么？它凭借30V/9.5A的强劲规格和仅15毫欧的低导通电阻，让您轻松实现高效率的功率切换，显著降低能量损耗和发热。其逻辑电平门特性（Vgs(th)仅2.4V）意味着您可以直接用微控制器驱动，简化电路设计，加速开发进程。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能提供稳定可靠的性能。

• 型号:DMG4932LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1932pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.19W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMG4932LSD-13，Diodes产品一站式供应商。