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还在为电路板空间紧张和功率损耗问题头疼吗？让DMC3061SVT-7来为您排忧解难！这颗高度集成的互补MOSFET阵列，将N沟道和P沟道MOSFET合二为一，采用超薄的TSOT-26封装，能为您节省高达50%的布局空间，让您的产品设计更加小巧精致。

它拥有30V的耐压和最高3.4A的持续电流能力，配合低至60毫欧的导通电阻，能极大降低开关过程中的功率损耗，提升整体能效。无论是用于电池供电设备的负载开关、电机驱动，还是信号路径管理，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制，显著提升产品的续航和稳定性。

• 型号:DMC3061SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），2.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V，6.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V，287pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMC3061SVT-7，Diodes产品一站式供应商。