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您正在寻找一颗能在高压侧提供精准稳压或可靠保护的解决方案吗？1N5263B-T正是为您而来。这颗56V、500mW的齐纳二极管，核心使命就是为您电路的敏感部分竖起一道安全屏障。当电压超过设定值时，它能迅速导通分流，有效吸收浪涌能量，防止后续IC受损；同时，它也能为您提供一个稳定度极高的56V参考电压，是基准源电路的理想选择。

它让您设计更省心：±5%的精密容差保证了电压的一致性，宽广的-65°C至200°C工作温度范围使其能轻松应对严苛环境，从工业设备到汽车电子都能胜任。其经典的DO-35轴向封装，便于安装和替换，极大提升了您的生产与维护效率。选择它，就是为产品的长期稳定运行增添了一份坚实的保障。

• 制造商产品型号：1N5263B-T
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：DIODE ZENER 56V 500MW DO35
• 系列：二极管 - 齐纳 - 单
• 零件状态：停产
• 电压-齐纳（标称值）(Vz)：56V
• 容差：±5%
• 功率-最大值：500mW
• 阻抗（最大值）(Zzt)：150 Ohms
• 不同Vr时电流-反向泄漏：100nA @ 43V
• 不同If时电压-正向(Vf)：1.1V @ 200mA
• 工作温度：-65°C ~ 200°C
• 安装类型：通孔
• 封装：DO-204AH，DO-35，轴向
• 1N5263B-T，Diodes产品一站式供应商。