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还在为复杂的双MOSFET布局和驱动电路烦恼吗？DMC4040SSD-13为您提供了一站式的高效解决方案。这颗集成了N和P沟道的MOSFET阵列，拥有40V耐压和6.8A的连续电流能力，其逻辑电平门设计让您可以直接用微控制器轻松驱动，极大简化了您的电路设计。

它凭借低至25毫欧的导通电阻和优异的开关特性（栅极电荷仅37.6nC），能显著降低系统的导通损耗与开关损耗，直接提升电源转换效率和整体能效。无论是用于电机驱动、负载开关还是电源管理，它都能让您的产品运行更凉爽、响应更迅捷、设计更紧凑。选择DMC4040SSD-13，就是选择用一颗芯片释放双倍性能与空间优势。

• 型号:DMC4040SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC4040SSD-13，Diodes产品一站式供应商。